El grupo EXTREMAT de la UPV tiene como objetivo la síntesis y el estudio de las propiedades estructurales, vibracionales, ópticas y eléctricas de materiales en condiciones extremas de presión y temperatura.
Como se puede comprobar en las publicaciones del grupo, EXTREMAT tiene dos líneas principales de investigación: 1) El estudio de compuestos binarios, ternarios y cuaternarios de diversas familias con aplicaciones en Electrónica, Optoelectrónica y Espintrónica. 2) El estudio de minerales con aplicaciones en Geofísica y Astrofísica.
Entre los materiales estudiados se encuentran:
§ Semiconductores y aislantes binarios de diversas familias:
§ Familia III-V
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como GaAs, GaP e InGaAs, además de AlN, GaN e InN.
§ Familia II-VI
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como ZnO y ZnS.
§ Familia I-VII
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como CuBr.
§ Familia III-VI
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los semiconductores laminares de coordinación tetraédrica (InSe, GaSe, GaS y GaTe) y sesquióxidos (Al2O3, In2O3, Tl2O3 e Y2O3).
§ Familia V-VI
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los sesquióxidos y sesquicalcogenuros (As2O3, Sb2O3, Bi2O3, Bi2Se3, Bi2Te3, Sb2Te3). Algunos de los sesquicalcogenuros estudiados se comportan como aislantes topológicos a presión ambiente o a altas presiones.
§ Semiconductores y aislantes ternarios:
§ Familia ABX4
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los semiconductores ternarios YVO4, NdVO4, CeVO4, YLiF4, BiPO4, TbPO4, CaWO4, SrWO4, PbWO4, BaWO4, HgWO4, and PbMoO4.
§ Familia AB2X4 (II-III2-VI4)
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los óxidos y sulfuros con estructura de tipo espinela o relacionadas (ZnAl2O4, ZnCo2O4, ZnMn2O4, and CdIn2S4) y calcogenuros con estructura calcopirita defectuosa of relacionadas (CdAl2S4, CdGa2S4, HgGa2S4, ZnGa2Se4, CdGa2Se4, HgGa2Se4, and ZnGa2Te4).
El grupo EXTREMAT de la UPV tiene como objetivo la síntesis y el estudio de las propiedades estructurales, vibracionales, ópticas y eléctricas de materiales en condiciones extremas de presión y temperatura.
Como se puede comprobar en las publicaciones del grupo, EXTREMAT tiene dos líneas principales de investigación: 1) El estudio de compuestos binarios, ternarios y cuaternarios de diversas familias con aplicaciones en Electrónica, Optoelectrónica y Espintrónica. 2) El estudio de minerales con aplicaciones en Geofísica y Astrofísica.
Entre los materiales estudiados se encuentran:
§ Semiconductores y aislantes binarios de diversas familias:
§ Familia III-V
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como GaAs, GaP e InGaAs, además de AlN, GaN e InN.
§ Familia II-VI
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como ZnO y ZnS.
§ Familia I-VII
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como CuBr.
§ Familia III-VI
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los semiconductores laminares de coordinación tetraédrica (InSe, GaSe, GaS y GaTe) y sesquióxidos (Al2O3, In2O3, Tl2O3 e Y2O3).
§ Familia V-VI
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los sesquióxidos y sesquicalcogenuros (As2O3, Sb2O3, Bi2O3, Bi2Se3, Bi2Te3, Sb2Te3). Algunos de los sesquicalcogenuros estudiados se comportan como aislantes topológicos a presión ambiente o a altas presiones.
§ Semiconductores y aislantes ternarios:
§ Familia ABX4
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los semiconductores ternarios YVO4, NdVO4, CeVO4, YLiF4, BiPO4, TbPO4, CaWO4, SrWO4, PbWO4, BaWO4, HgWO4, and PbMoO4.
§ Familia AB2X4 (II-III2-VI4)
El grupo ha estudiado diversos semiconductores de esta familia como los óxidos y sulfuros con estructura de tipo espinela o relacionadas (ZnAl2O4, ZnCo2O4, ZnMn2O4, and CdIn2S4) y calcogenuros con estructura calcopirita defectuosa of relacionadas (CdAl2S4, CdGa2S4, HgGa2S4, ZnGa2Se4, CdGa2Se4, HgGa2Se4, and ZnGa2Te4).