Menu
A+ A A-

LABORATORIO DE OPTOELECTRÓNICA

1.- Dopado de semiconductores por transmutación neutrónica
El dopado por transmutación neutrónica (DTN) es una técnica de dopado que utiliza la interacción nuclear de los neutrones térmicos con los isótopos presentes en la red de un semiconductor. Esta técnica de dopado presenta dos ventajas fundamentales:

a) Permite introducir una concentración controlada de impurezas en el semiconductor.

b) las impurezas introducidas por TN están distribuidas homogéneamente en el material.

2.- Propiedades ópticas y eléctricas de semiconductores III-V y III-VI.
La comprensión de los mecanismos que gobiernan las  propiedades ópticas y eléctricas  de los semiconductores es fundamental para el desarrollo y posterior evolución de nuevos dispositivos. Los semiconductores compuestos de los grupos III-V y III-VI presentan un interés particular para nuestro equipo, los primeros (III-V) por su evidente interés tecnológico en los campos de la electrónica rápida y de la optoelectrónica y los segundos (III-VI) por las peculiares características que les confiere la elevada anisotropía que presenta su estructura  y porque son elaborados por un grupo de investigación de la Comunidad  Valenciana que colabora con nosotros.

3.- Desarrollo de dispositivos semiconductores.
Las excelentes características de control y homogeneidad de los materiales dopados por TN deben permitir el uso de estos materiales en dispositivos de potencia donde se opera con intensidades eléctricas elevadas. Si además se utilizan materiales de elevada movilidad, como los III-V, se pueden diseñar y construir dispositivos de gran potencia y velocidad.